控制存储器由什么构成 存储器构成的控制方式

1、存储器构成的基本要素

控制存储器是指存储程序和数据的数据存储器，是计算机系统的重要组成部分，其构成主要包括存储单元、地址寄存器、数据寄存器、读/写控制电路等几个基本要素。

其中存储单元是指存储一个二进制位的存储设备，是存储器的最小单位，每个存储单元都有自己的地址。地址寄存器用于存放操作存储器时要访问的存储单元地址，数据寄存器用于存放要写入存储器或从存储器中读取的数据，读/写控制电路用于控制对存储器的读写操作。

2、存储芯片种类及结构

存储芯片是一种集成电路，常见的存储芯片有DRAM、SRAM、EPROM、FLASH等。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种动态随机访问存储器，以其周期性的刷新操作来保持存储数据。SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机访问存储器，较为复杂，但读写速度快，应用广泛。EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种只读存储器，数据编程后不可更改，但可以通过紫外线照射将数据抹除，进行再次编程。FLASH是一种EEPROM的变种，可以进行电子擦除，相比EPROM更为方便。

存储芯片的结构通常包括地址引脚、数据引脚、控制引脚等，其中地址引脚用于定位存储单元，数据引脚用于传输数据，控制引脚用于控制读写操作。

3、存储器的容量和速度

存储器的容量指存储器能够存储的最大数据量，常见的存储器容量单位有字节、KB、MB、GB等。存储器速度是指存储器能够完成的读写操作的速度，速度通常用ns（纳秒）或MHz（兆赫）表示，不同种类的存储器速度有所不同。

存储器的容量和速度是相互关联的，一般来说，容量越大，速度就越慢，例如DRAM的速度相对较慢，但容量较大，常用于主存储器；SRAM的速度相对较快，但容量较小，常用于高速缓存存储器。

4、现代存储技术

随着计算机科技的不断进步，存储器技术也在不断创新，涌现出了一些新的存储技术。例如，相变存储器（Phase Change Memory）在存储介质中利用物理相变（固/液相变）来存储数据，具有存储密度高、速度快、能耗低等优点。另外，氢化物存储器（Hydrogenated Amorphous Silicon Memory）等储存介质的研究也在不断深入。

此外，云存储、闪存、固态硬盘等新型存储器也得到了广泛应用和发展，在不同领域有不同的应用形态和技术实现。