CS8NH60是功率场效应管(Power MOSFET)的一种,也被称作N沟道场效应晶体管。这种晶体管的结构是沟道型,电荷载流子主要是电子。
功率场效应管是一种晶体管,是用于高功率输出的开关元件,它具有低输入电阻,高输出电阻,容易控制,高效率等特点。主要用于电源开关、PWM速度控制等方面。CS8NH60在这些领域中被广泛使用。
CS8NH60的典型最大漏极电压VDS为600V,典型漏极电流为8A,典型门源电压VGS为±30V,典型输入电容Ciss为1140pF,典型输出电容Coss为370pF,典型反向传导电容Crss为250pF。可以看出,CS8NH60具有高电压、大电流、低电容等特色,可以满足大多数功率开关的要求。
①低导通电阻:CS8NH60的导通电阻非常小,可以达到0.8Ω以下,因而它的导通损耗很小。
②低反向开关能:CS8NH60的反向开关能只有1/6-1/8左右,即在断开电压上升时,它明显优于输电二极管。从而显著地减少了开关损耗。
③高抗串扰能力:CS8NH60具有高抗串扰能力,因为在大部分应用中,它的输入电容与输出电容之间没有直接的连接。这样,在接口状况较差的情况下,抗串扰能力强。
CS8NH60的应用领域主要集中在高压、大电流的控制领域,包括电源开关、电动汽车驱动、电焊机、各种电动工具、变频调速等领域。CS8NH60的低导通电阻和低反向开关能等特点,使得它在高频功率电子元件中得到了广泛的应用,特别是在交流变频调速器领域中使用较为广泛。