在我们进入正文前,首先需要了解普通三极管的结构。三极管是一种有三个区域的半导体器件,分别为基区、发射区和集电区。其中,基区是控制管子电流的区域,发射区是电流发射的区域,集电区则是流入/流出当前的电流的区域。三极管的基极、发射极和集电极分别连接于电路中的控制电信号、电源和电路负载等。
在常见的普通三极管中,基极通常被制成P型半导体材料。但13001管的基极却是N型半导体材料。这种材料的特殊性质,正是使得13001作为理想的低压高频功率放大器的主要原因之一。与同类P型三极管相比,N型结构因其高迁移率和大的电荷密度而表现出更好的频率特性。其极限截止频率通常比P型普通三极管高一个数量级,达到了2~3GHz。
13001管的基极是由硅制成的N型半导体材料。硅是目前使用得最广泛的半导体材料,更是用于制造基本的晶体管和整个集成电路的基石。这种材料有着很好的电子特性,可以经受高电流和高功率放大的艰苦环境。而且,硅材料的加工技术非常成熟,大量生产能够减少生产成本,从而促进了技术的进一步普及。
与普通三极管相比,13001管的N型基极提供了更快的开关时间和更大的频带。而且,因为其高频范围更广,运用13001管的设备可以部署在更高速度的通信网络和更高效的通信系统中。例如,它被广泛应用于音频触发电路、开关电源、锁相环、定时器、振荡器和其他要求低噪声低功耗高精度信号控制的电路等。