二极管,也称为“肖特基二极管”或“肖特基势垒二极管”,是一种电子器件。它由两种半导体材料制成,即P型半导体和N型半导体。P型半导体的电子亏损区被称为“空穴”,N型半导体的电子亏损区被称为“电子”。P型半导体和N型半导体之间的接触面被称为“PN结”,也是二极管的关键部分。
二极管的基本原理是利用PN结产生的一个内建电场。当P材料的电子和N材料的空穴在PN结处相遇时,它们会互相结合并释放能量。由于这个能量的释放会导致P型材料成为带正电的,N型材料成为带负电的。因此,在PN结周围形成了一个电场,阻止电子和空穴通过结合区域重新混合。这样,当二极管的P极端施以正电压而N极端施以负电压时,电子和空穴会受到电场推力而分别向P极和N极移动。
制造二极管的材料主要有硅(Si)、锗(Ge)和碳化硅(SiC)等。其中,硅是最常用的二极管材料。硅的特点是廉价、可靠,而且它可以承受高温,还有较好的电氧化性能。但硅的导电能力相对较差,而且速度有限。
相比之下,锗的导电能力更好,速度更快。然而,锗的价格相对较高,且易于受潮,所以在实际应用中使用较少。
碳化硅作为新型半导体材料,具有优异的高温、高频、高电压、高功率应用性能。尤其是在高温环境下,自身的电氧化能力更是超越了硅材料,因此在航空、军工、汽车等领域中得到了广泛应用。但由于成本较高,它的应用范围仍然局限在一些特殊领域。
二极管的发展可以追溯到20世纪初。1904年,德国物理学家弗格森(Ferdinand Braun)发现,砷化锑(Antimony Arsenide)和铜金属之间的接触可以产生一种只允许电流单向流动的行为。这就是首次发现的“接触整流”现象,成为半导体物理学研究的开端。
随着研究的深入,越来越多的新材料被用于制造半导体器件,同时也出现了更高效的二极管设计。1948年,美国贝尔实验室的肖特基(Bardeen)和布里顿(Theodore Briteon)发明了肖特基二极管,它具有低电压、高速度和小体积的优势,成为半导体器件的一个重要分支。此后,二极管不断发展和完善,从原始的晶体管,发展到今天的集成电路。
二极管是一种非常常见的电子元件,广泛应用于电路中。它的主要作用是单向导电,即只允许电流从P区向N区流动。常见的二极管应用包括整流器、瞬变抑制器、电压稳定器、放大器、模拟电路等。除了电子行业,二极管还被广泛应用于LED照明、太阳能电池和光电探测器等新兴领域。