nand闪存(NAND Flash)是一种非易失性存储器,与传统的动态随机存取存储器(DRAM)不同,它不需要电源维持其储存内容。nand闪存主要用于储存大量数据,如操作系统、应用程序、照片、音视频等。
nand闪存通常是以芯片的形式出现,芯片上有很多数量不等的存储单元,以及访问存储单元的控制逻辑电路。
nand闪存的颗粒类型主要分为SLC、MLC、TLC、QLC四种,它们的内部结构不同,存储单元的数据容器也不同,因此对性能、寿命、价格等都有影响。
nand闪存的颗粒制造工艺目前主要分为两种,一种是200mm硅片工艺,另一种是300mm硅片工艺。其中200mm硅片工艺主要用于SLC和MLC存储颗粒的生产,而300mm硅片工艺主要用于TLC和QLC存储颗粒的生产。
nand闪存颗粒是由多家厂商生产的,如三星、海力士、英特尔、东芝、闪迪、美光等公司。其中,三星和海力士在nand闪存领域处于领先地位,市场占有率较高。