MOS管是一种晶体管, MosFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 MosFET由金属、氧化物和半导体三部分组成。金属是门极，氧化物是绝缘层，半导体则是导体。
MOS管是三端器件，分别为源极(S)，漏极(D)和栅极(G)。栅极是控制MOS管导通的极，它的电压变化会控制MOS管的导电状况，当栅极电压大于门限电压时， MOS管才能导电通。通俗来说，栅极相当于开关上的开关键，需要操作才能控制通断。
N沟道MOS管和P沟道MOS管分别是由N型半导体和P型半导体制成的MOS管，其栅极信号调节导通的方式也不同。N沟道MOS管与P沟道MOS管不同之处在于，N沟道MOS管的通窄和截断电压Vth为负值，而P沟道MOS管的通道宽度为正值，截止电压Vth也是正值。这两种MOS管适用于不同领域的应用，例如，N沟道MOS管被广泛用于数码电子电路、交流马达控制等领域，而P沟道MOS管则常用于改变信号相位等领域。
MOS管广泛应用于电子、计算机、通信等领域，例如，MOS管是数字集成电路和模拟集成电路中的重要元件，在微处理器、功率器件中也有应用，同时也应用于电源控制、电子变压器等领域。 另外，MOS管进入了光电子领域，作为面板工艺、照明、驱动等领域的重要元件。
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