PMOS是一种常见的场效应管，其结构由P型衬底、N型漏源和P型栅极构成。其工作原理是靠栅极的控制作用，可以在P型衬底上产生一个N型沟道，当栅极上加上一个固定的电压时，栅极和衬底之间就产生了反向偏置，沟道会被截断而失去传导能力；而当栅极上的电压为低电平时，栅极和衬底之间就形成了正向偏置，N型沟道会被激活，产生传导能力，此时PMOS处于导通状态。
PMOS需要在栅极上施加低电平才能被触发进入导通状态。这是由于PMOS的特殊结构所决定的。N型沟道在正向偏置时由栅极控制，P型衬底处于高电平，控制电压与PMOS的通道电压方向相反，产生投影效应，将电场加强。当栅极电压为低电平时，电场方向与PMOS的通道电压相同，导致N型沟道通电。
相较于NMOS，PMOS的本质区别在于其衬底为P型，而NMOS的衬底为N型。这种区别导致了PMOS和NMOS在电路设计中的不同应用。相较于NMOS，在承受同等电压时，PMOS的漏电流更小，因此在低功耗电路的设计中较为常见。此外，由于PMOS需要在栅极上施加低电平才能导通，因此在与CMOS逻辑电路的结合中，常用作NMOS控制器的补充部分。
PMOS的应用场景较为广泛，常用于电源管理、时序控制、模拟电路的放大和开关等。例如，在CMOS电路中，通过PMOS和NMOS的组合可以实现AND、OR等逻辑功能码的控制。此外，PMOS还可以应用于显示面板控制、DC-DC转换器、电源管理IC等领域。
关注微信