PSRAM是Pseudo-Static RAM(伪静态随机存取存储器)的缩写,是一种特殊类型的DRAM(动态随机存取存储器)内存。与普通DRAM内存相比,PSRAM内存有更短的访问时间、更高的访问速度和更低的功耗,因此在一些特定的应用场景下,PSRAM内存使用更为广泛。
PSRAM内存采用与SRAM类似的结构,也就是每一个存储单元都由一个存储器单元和一个锁存器单元组成。它的特点是在SRAM的基础上添加了刷新电路,通过刷新电路,可以保证存储器单元的电荷不会逐渐耗尽。因此,在读取数据时,PSRAM内存的速度比DRAM快。
另外,在存储单元的设计上,PSRAM内存使用了一种叫做“1T1C”的结构(即一个传输门和一个电容器),这种设计可以使得PSRAM内存在存储较小的数据时更为高效。此外,PSRAM内存还可以通过降低访问频率的方式来降低功耗。
由于PSRAM内存具有速度快、功耗低等优点,因此在一些特定的应用场景下使用更为广泛,如:
PSRAM内存可以作为手机和平板电脑中的主要内存使用,因为它具有访问速度快、功耗低、体积小等等优点。此外,随着智能手机应用越来越多,对内存的需求量也越来越大,PSRAM内存的性能在这方面也得到了更好的发挥。
在工业控制设备中,数据的读取和存储速度很重要,因此需要一种高速的内存来做辅助。而PSRAM内存在这方面具有速度快、无需预充电等优点,因此被广泛应用于工业控制设备中。
除了上述应用外,PSRAM内存还被广泛使用于一些特殊领域,如医疗设备、地震仪器、雷达系统等,这些领域都对内存的读取速度要求较高,因此PSRAM内存成为了更好的选择。