为什么IGBT用三四次就击穿 IGBT为什么三四次就击穿？

1、结构失效

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的结构中，将PNP型的晶体管和NPN型的晶体管串联，形成一种四层结PNPN的器件，其中NP结和PN结之间有绝缘层隔离，且引出控制信号的极及控制信号共用同一插针，所以IGBT也被称为绝缘栅双极晶体管，其主要特点包括高速开关、低饱和压降、可逆阻止电压和大电流承受能力等。但是，在使用IGBT过程中，如果晶体管结构失效，则会出现击穿现象，造成器件损坏。结构失效主要有以下几方面原因：

①PNP结区发生击穿。若某些原因，PNP结中的电子速率超过了局部剧烈加速的阈值，则电子在碰撞的过程中加速到足以导致硅键断裂的高速度，从而击穿PNP结区。

②PNPN结两端引出引脚或引线与芯片金属电极之间的绝缘破裂。当PNPN结中一侧的PN结正向偏置，另一侧的PN结反向偏置（实际上是根据设定的工作点对正向、反向电压施加，进行开关操作），若绝缘击穿而接通，电流将直接流到PNPN结两端，进而形成过电流损坏。

2、温度失控

在IGBT的使用中，由于电流和电压的作用，器件内部会产生大量热量，而IGBT的稳定性和可靠性受到温度的影响比较大，达到一定温度会引起击穿。主要原因包括：

①温度反馈失效。由于IGBT自身的结构和特性，一旦IGBT加热过程中温度过高，就会引起器件的损耗和失控，如果温度反馈对温度的监测失效，则会导致温度升高不被及时发现和控制。

②散热不良。IGBT的工作过程中会发生大量的热量，如果散热条件不良，则会引起温度升高。散热不良可能会由于电源线、集成电路外壳，接触不良或是使用低品质的散热器导致。

3、过流过压

过流和过压也是IGBT经常遇到的问题之一，如果IGBT承受电流或电压过大，就会导致击穿。造成过流和过压的主要原因如下：

①外部电源频率或离子撞击故障引起的过电压。此种现象一般在电力系统中较为常见。当系统电源频率变化时，IGBT可能会由于外部电源频率或离子撞击故障等原因，受到过电压冲击，导致击穿。

②过大的电流峰值和操作区域。在某些特定的操作区域和工作条件下，电流峰值超过了器件所能承受的范围，就会产生过流的情况，此时电流密度足以导致硅键断裂，导致击穿。

4、电磁干扰

电磁干扰现象一般在电力系统中较为常见，主要包括两个方面：

①由于信号线布局、接地、干扰源等原因，信号传输时会产生电磁噪声，这会干扰IGBT的正常工作，使其击穿。

②由于IGBT工作时需要进行开关操作，所以其电流变化很快，而电流变化易产生变化磁场，从而产生电磁干扰，因此，当IGBT面临电流的瞬间改变时，需要考虑电磁干扰现象的影响。