IGBT为什么会软击穿 为什么IGBT会发生软故障？

1、什么是IGBT？

IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是集大功率MOSFET的优点和双极型晶体管的可控性于一身，被广泛应用于高压、大电流的开关电源和变换器中。

2、IGBT软击穿的原因

IGBT软击穿通常是因为器件的击穿电压低于额定电压。造成这种情况的原因主要有以下几个方面：

首先，导致软击穿的原因之一可能是制造过程中出现的材料缺陷或工艺问题，如材料纯度低、表面缺陷或处于高应力状态等因素，容易导致器件击穿电压降低。

其次，使用过程中应注意器件的静电和过温保护，以避免器件过度击穿。当超过器件允许的电压或温度范围时，器件可能会因过度击穿而损坏。

此外，如果电路自身的抗干扰能力不足或者电磁干扰过大，也会导致IGBT软击穿的现象，这时候应采取措施减小电路的电磁干扰，提高电路的抗干扰能力。

3、软击穿对IGBT的影响

当IGBT发生软击穿后，电路中通常会出现大电流和大功率，这往往会造成IGBT损坏、热失控和短路等问题。此外，软击穿还会导致器件的工作环境恶化、降低器件的性能和可靠性，进一步影响电路的工作稳定性。

另外，软击穿还会产生电磁干扰，对周围电子设备的正常工作造成影响，甚至对人体健康产生一定的威胁。

4、预防软击穿的措施

为了降低IGBT软击穿的发生率，需要采取以下措施：

首先，生产过程中应严格控制器件的制造质量，减少材料缺陷和工艺缺陷等问题，保证器件的性能稳定和可靠性。

其次，使用过程中要注意器件的过温保护和防静电措施，减小电路中的干扰，避免IGBT超过其额定电压范围，以免造成过流过载和软击穿等故障。

另外，在电路设计中，还需要采用合理的保护电路和控制策略，减少IGBT软击穿的发生。