mos管全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。mos管可分为p型mos(PMOS)和n型mos(NMOS)管,其工作原理与普通的三极管不同。
mos管的三极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G),其中栅极和源极之间通过氧化物隔离,形成栅氧层,并且通过栅电势控制源漏间的导通和截止。
源极:起驱动漏电流的作用,可以看成是mos管的“输入”端。
漏极:从源极吸收电子,控制通过漏极的电流,可以看成是mos管的“输出”端。
栅极:控制漏极和源极之间的导通,相当于对“通道”的控制,因此也称为“控制极”。
源极和漏极之间的导通受栅极电势控制,具有输入及输出阻抗高,输入电容低等特点,可广泛应用于放大和开关电路。
mos管电阻低,可用作功率放大器,由于导通状态是由栅极电压决定的,因此栅极输入电阻极大,无功耗电流,适合集成电路以及模拟电路。
mos管的应用领域非常广泛,如:
1、集成电路领域:mos管用于数字电路、模拟电路和微处理器。
2、电源管理领域:mos管用于开关电源、直流电机、灯光开关等。
3、音频功放领域:mos管作为强劲的音频功率放大器,拥有特有的真空管音响风格。
4、通信领域:mos管可用于无线电发射、接收等。