IGBT过流后ce电压为什么上升 IGBT过流时CE电压上升的原因

1、IGBT过流的原理

IGBT是一种常用的功率半导体器件，其内部结构类似于MOSFET和BJT之间的组合。当电流流过IGBT时，如果电流超过了其额定值，就会产生过流现象。此时，由于器件内部电阻的存在，电流会在导通区域产生电压降，并且会使得IGBT的温度上升。

2、IGBT过流后CE电压上升的原因

在IGBT的导通区域，在电流的作用下，会形成电场和磁场。当电流超过了其额定值，会使器件内部温度上升，导致导通区域的电子浓度下降，同时电阻值也会增加，这会使得电流通过的位置发生局部移动，导致导通区域缩小。此时，电流密度增大，使得电流集中在局部区域内，导致该区域内的电阻值上升。

由于该区域电阻值的上升，导致电阻的损耗增加。I²R损耗的增加会使得该区域较快地升温，这又导致了局部集中的电流对器件的热冲击增加。局部电流导致的热量过大，会导致IGBT的结构发生变化，形成局部熔化、烧损或开路，从而导致整个器件故障，无法正常工作。在过流的同时，CE电压也会发生上升，这也是损耗的产生。

3、如何解决IGBT过流的问题

为了解决IGBT过流的问题，可以采取以下措施：

1. 选择合适的滤波电阻：适当选择滤波电阻，可以使电流通过限制在额定值以内，防止过流现象的发生。

2. 采用电压降压技术：采用电压降压技术，可以使器件内部的过流电路得到保护。在IGBT过流时，降压电路会使电流减小，这有助于保护器件。

3. 采用新型IGBT器件：新型的IGBT器件内置了保护机制，使电流过大时，自动停止传导，从而保护器件。这种器件无需额外的保护电路，可以降低系统的成本。

4、结论

总的来说，IGBT过流后CE电压上升的原因是器件内部电阻和电子浓度的改变，移动了电流的集中位置，导致器件局部温度升高，进而引起CE电压上升。为了解决IGBT过流问题，可以采取适当措施，如选择合适的滤波电阻、采用电压降压技术或新型IGBT器件，来达到保护器件的目的。