高压mos管漏极为什么离得远 高压mos管漏极为何离得遥远

高压mos管漏极为什么离得远

高压mos管作为一种常见的开关管件，其漏极与源极之间的距离在设计时通常会设置得相对较远，这是为何呢？下面从几个方面做详细阐述。

1、漏电流

高压mos管的漏电流是一个重要的考虑因素。漏电流是指在高压mos管的漏极与源极之间，即在主管通电的状态下，两极之间一种不期望的电流。对于高压mos管而言，漏电流的大小不应超过一定的标准，否则会导致主管的过热、全极反向开路等问题。在高压mos管的设计时，需要充分考虑漏电流的影响，漏极的离源极距离应该根据产品的需求精确控制，以在不增加漏电流的前提下，尽可能地缩小主导芯片的尺寸。

因此，为了减少漏电流，高压mos管漏极与源极之间的距离需要设置得相对较远，从而避免漏电流的过大造成开路等问题。

2、温度分布

高压mos管在工作时会发热，高温会导致硅晶片变形，金属导线老化，从而造成产品寿命的降低。漏极如果过度接近源极，会缩小导通区，电流密度增大，会使导通区和漏极处的温度异常升高，影响产品稳定性和寿命。因此，在设计高压mos管时，需要充分考虑漏极与源极之间的距离，使主导芯片的温度均匀分布，避免产生热量聚集现象。

因此，为了保证产品的稳定性和寿命，高压mos管漏极与源极之间的距离需要设置得较远，以保证芯片的温度分布均匀。

3、压电效应

高压mos管在工作时会由于电场的存在，会导致压电效应。导致压电效应的原因主要是芯片内应力。在高压mos管的设计中，USS(under Surface stress，指芯片内应力) 需要控制在一定范围内，以保证硅片的稳定性。

由压电效应产生的电场引起的漏电流和温度极易成为产生失效的核心。因此，为了避免压电效应对产品质量产生影响，高压mos管漏极与源极之间的距离需要设置得相对较远，减小欧姆电压梯度，降低芯片内应力，从而减少压电效应的影响。

4、漏气电弧

若漏极与源极之间距离过顶，漏电流也会造成漏极区域的局部气体电离，产生气体放电，产生漏气电弧现象，从而对产品寿命造成影响。因此，为了减少漏气电弧的数量，高压mos管漏极离源极的距离需要设置在合理的范围内。在产品设计阶段，还需要加强产品的隔离设计，并对漏气电弧进行分析和筛查。

因此，高压mos管漏极需要离源极较远，最好在理论距离和电槽承受电压的条件下设计，以减少漏气电弧的数量，并延长产品寿命。