MOS管全称MOSFET,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管。它是一种使用金属栅控制通道的三极管。
当栅极上施加一定电压时,栅极与通道之间就会形成一个反向电压,而反向电压的大小就会决定通道的导电能力。当这个反向电压足够大时,通道的导电能力就会迅速提高,直到出现导通的状态。因此,MOS管的导通与否取决于控制栅极的电压。
对于N沟道MOSFET来说,当控制栅源电压大于或等于临界电压(称作“阈值电压”)时,通道就开始形成。此时,管脚的正极与负极之间的电阻就会迅速减小,从而实现导通。因此,N沟道MOSFET的导通电平应该大于或等于它的阈值电压。
同理,P沟道MOSFET的导通电平也应该大于或等于它的阈值电压。
阈值电压的大小与MOS管本身的材料特性,以及制造工艺有关。在选择MOS管时,需要考虑到其所在电路的实际工作电压,以及所需的导通电平。通常情况下,我们会选择一个阈值电压适中的MOS管,这样工作范围更为广泛,且导通电平与负载的匹配更为合适。
此外,阈值电压的变化也会影响MOS管的频率响应。当阈值电压变化较大时,MOS管的频率响应降低,导致输出信号失真。因此,在设计高精度电路时,需要选择阈值电压稳定、频率响应较好的MOS管。
总的来说,MOS管的导通与否取决于控制栅极的电压,导通电平应大于或等于其阈值电压。选择合适的MOS管可以保证电路的工作正常和稳定,同时也可以提高系统的性能表现。