单管IGBT是一种强制型换流元器件,是继MOSFET之后,研究得比较成功的新型高性能和高可靠性功率器件。
单管IGBT具有高电压降和大电流承受能力,一段时间以来已经成为交流调制电路中工作在高频率下的开关器件。
大管IGBT的年限生命周期相对小管要长,能够承受更大的电流,常用于处理或者承受功率等级较大的工作场合。其低电压丢失和大闸极驱动能力保证了高效率和良好的电器温度行为,使其成为各种逆变器、PWM电机控制器及其他CLC棘轮电路中的理想开关元器件。
小IGBT的电流承受能力比较小,只适用于低功率级别的工作场合,但是价格相对大管会便宜许多,考虑到成本优势可以被用作采样、调节、或者控制信号等需要在开关器件上提供一些处理的场合。
此外,小管IGBT因为结构中没有封装等限制,其响应速度快,结构简单,但是张氧离子治理的能力更弱,需要付出更多的关注和调节。
除了上述的电流承受能力和功率范围之外,单管IGBT大管小管的其他区别包括:产品结构、使用环境、使用寿命、驱动方式等。
大管IGBT的结构相对复杂,需要在使用保护电路和散热系统时付出多一些的关注;小管的结构简单,使用保护较为容易。使用环境与使用寿命等方面受到产品结构和使用功率等级的限制,相对大管而言会有些差异。驱动方式方面,对于大管IGBT来说,需要提供更强的驱动力和维护,而控制小管因为能量和功率都较小,因此驱动相对较容易。