ESD是英文Electro-Static Discharge的缩写,翻译过来就是“静电放电”,指的是静电在两个物体之间放电时产生的瞬间放电现象。在电子元器件的生产、存储、运输、使用等各个环节中,都可能遭受ESD的危害,从而导致元器件损坏、甚至失效。因此,减缓或避免ESD对电子元器件的危害,成为了电子产品设计和制造中至关重要的问题。
ESD对于电子元器件来说,具有非常重要的代表意义。我们可以从以下几个方面来分析:
ESD对于电子元器件的危害主要有两个方面。首先,静电放电会产生高电压、高电流,导致元器件内部晶体管等结构被电击穿,进而导致元器件失效或损坏。其次,ESD也会引起瞬态电压,使元器件内部的寄生电容与寄生电感产生高频振荡,从而影响元器件的正常工作。这些问题都会影响电子元器件的可靠性和寿命。
为了衡量元器件的ESD耐受能力,工业界提出了ESD等级的概念。各种类型的电子元器件都有相应的ESD等级,如CMOS器件的3kV、5kV等级、二极管器件的2kV、4kV等级等等。ESD等级是根据元器件不会受到损害的最高静电放电能量来确定的,这个静电放电能量越高,等级也就越高。
在电路设计和制造过程中,需要考虑ESD对元器件的危害,并针对性地采取相应的防护措施。例如,在设计CMOS电路时,需要在输入端加入ESD保护电路,以防止静电放电对MOS管的击穿破坏。在产品制造和测试的过程中,也需要采取相关的工艺和测试手段,来保证产品的ESD性能符合要求。