mos电容值大小与什么有关 mos电容大小的决定因素是什么？

1、MOS电容的定义

MOS电容是指金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极氧化层上的电容。它是由氧化层和半导体基片之间的极板电容、氧化层下方的交互电容以及主体区、栅极区和源漏区的分布电容构成的。

这些分布电容都将影响MOSFET的晶体管参数，其中最主要的就是栅源电容和栅漏电容。

2、MOS电容与结构有关

MOS电容的大小与MOSFET结构密切相关。对于ETMOS（Enhancement-Mode MOSFET），其沟道型设置的较窄，故其漏级控制区的长度（L）较短，其栅源电容和栅漏电容随之减小；对于TDMOS（Trench DMOS）晶体管，由于其奈米级Trench结构，可以增加沟道宽度（W），即控制面积的大小，因此能够有效降低栅源电容和栅漏电容并提高电路工作速度。

3、MOS电容与工艺制造方式有关

MOS电容的大小与工艺制造方式有关。在MOSFET电路制造过程中，如果在制造过程中，使得氧化层变厚或改变控制面积的大小，那么晶体管的栅源电容和栅漏电容会随之改变，因此合理的工艺制造可以有效地降低MOS电容的大小并提高器件自身的速度。

4、MOS电容与应用场合有关

MOS电容的大小还与器件的应用场合有关。在功率MOSFET中，要求兼具低导通电阻和低开关损耗，因此，需要在MOS电容的控制下实现更高的控制速度并保证电路稳定性。

而对于CMOS电路，由于要求其在大电荷状态下具有较低的功耗，因此需要降低漏电容，并精确控制电容值大小，这就需要在工艺制造方面进行相应的调整，以满足电路要求。