IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)为绝缘栅双极晶体管,是一种集成了MOSFET和BJT(Bipolar Junction Transistor)的功率半导体器件。IGBT具有低导通压降和高开关速度的特点,因此在高压、高电流的场合中得到广泛应用。
IGBT关断是指将IGBT从导通状态切换到关断状态,这通常需要控制电路输出一个负向脉冲,以便防止IGBT的频繁开关和损坏。IGBT关断的原因包括以下几个方面:
1.控制回路需要使用到多种逻辑门电路,需要在IGBT进行切换之前,先保证控制电压和功率正常;
2.在高压高频情况下,由于电感及高频响应,可能会导致IGBT受到反馈电势的干扰,进而造成设备命令信号没有正确执行,因此需要进行保护;
3.在IGBT的负载电源关闭时,可能会产生过电流效应,需要保护IGBT,从而防止其损坏。
IGBT的关断方式有两种:软关断和硬关断。软关断是指通过控制IGBT的栅极电压来缓慢减小其通电电流和电压,达到平稳切断的目的。硬关断是指通过反向极限电压或加反向电压的方式切断IGBT来达到关断目的。其中软关断方式常用于需要保护IGBT的场合,而硬关断方式适用于需要快速切断IGBT的场合。
在IGBT发生关断之后,常常伴随着电流或电压突变,可能会引起电容器振荡和电机失控等问题。为了应对这些问题,工程师通常采取以下措施:
1.添加电容器并调整其阻抗带宽,以防止电容器振荡;
2.使用脉冲电源,以控制电流突变的大小和时间,从而减小电机失控的概率;
3.使用局部反馈回路,以稳定失控现象。