igbt上下桥是什么意思 igbt上下桥的含义

1、什么是IGBT上下桥

IGBT全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名为绝缘栅双极型晶体管。IGBT上下桥是指在IGBT电路中，将IGBT的上桥臂和下桥臂分别控制高低电平，实现电路的开关，使电流在逆变器中正常流通。

通常能使电子器件取代其他电子器件的条件是体积小，效率高，工作可靠，价格低廉。 IGβT是目前肯定性地具备这些条件的 IC。它是由结型场效应晶体管（JFET）的结区和双极型晶体管（BJT）的发射区组成的一种晶体管。IGβT的上极有一个金属散热背板，下极有一个大的N+类型扩散片，两极以N^-加强型P或N^-深井P沟道型形成的P^-基区隔开，外接源极极性穿越晶体的扩散层而到达基区，基区结构为平面阱型，金属控制栅极穿过长狭沟槽从上极的背板独立引出，这相当于缩短了极间距离，增加了控制效率。

2、IGBT上下桥实现的原理

IGBT上下桥实现的原理为在电路中使用IGBT器件作为开关，通过控制IGBT的开关状态，控制上下桥的电压。通过上下桥的协同，可以将直流电源转为交流电源，实现逆变器的功能。同时，IGBT还可以实现整流、升压、变压等电路功能。

3、IGBT上下桥的应用

IGBT上下桥的应用范围广泛，如交流调速系统、电动车驱动系统、太阳能发电系统、风力发电系统、UPS不间断电源系统、电焊设备、变频空调等领域。其中，IGBT交流调速控制系统中，IGBT上下桥的应用最为广泛。

4、IGBT上下桥的优势

IGBT上下桥具有以下优势：

• 效率高：IGBT上下桥中的IGBT器件效率高，损耗小，因此整个电路的效率较高。
• 可靠性高：由于使用了新的材料、新的工艺，IGBT在高电压、高电流、高温度等恶劣环境下的可靠性比MOSFET大大提高。
• 尺寸小：相对于其他电子器件，IGBT的尺寸较小，因此在实际应用中占用空间较小。