PMOS管是一种场效应晶体管,它是由三个掺杂不同的材料组成的。其中,N型区和P型区之间有一个称为“沟道”的细长区域,可以通过加电压来控制该区域的导电性能。PMOS管是N沟道型场效应晶体管的一种,其特点是“P型沟道+N型源、漏极”。
为了使PMOS管正常工作,在使用 PMOS管时需要给其加上不同的电压,包括:
PMOS管的工作依赖于门极的电压,在不同的情况下门极电压对PMOS管的导通和截至有不同的影响:
当PMOS管的门源极电压小于零时,PMOS管处于导通状态,此时PMOS管内部的P型沟道会在电场的作用下形成电子空穴,形成导电通路,使得电流得以通过。
当PMOS管的门源极电压大于零时,PMOS管处于截至状态,此时电子从源极进入沟道区域的P型区域,因为P型区域处于高电压状态,电子会被吸引回源极,从而阻止了电流的流通。
在PMOS管的电源电压范围内,当门源极电压达到某个阈值时,PMOS管才能正常地导通。如果门源极电压低于该阈值,PMOS管将无法进行导通。这个阈值称为PMOS的阈值电压或门截止电压。
PMOS管由于其高电阻和低噪声特性,常用于低频放大器、信号选择器、开关等电路中。 在数字逻辑电路中,PMOS管被用作逻辑门和存储器的主要组成元件之一,主要有PMOS反相器、PMOS与门、PMOS或门等。