IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)隔离栅双极型晶体管,是一种IGFET(隔离栅场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)的复合晶体管,可以实现大电流、大电压、快速开关。在电力电子、电器、汽车等领域广泛应用。它的实质是pn结和MOS管的结合,它有BJT的低导通电阻、可控性以及MOS管的高输入阻抗和快速速度。IGBT是电力半导体开关器件产业中的前沿技术,因其具有高压、大电流、可控硅无法实现的快速开关,成为电力电子领域的新宠。
IGBT发生炸裂,一般有以下几种原因:
(1)电感电流过大:焊接中,电流过大,电感压降也会加大,造成IGBT的输出极压力过大。
(2)过电压:某些LED灯泡等的抑制电路中加入的Zener二极管、MOS管等逆变电路中,短路几秒后就会发生故障,过低的幅值使得IGBT内部各个晶体管的耐荷能力达到下限,炸裂便不足为奇。
(3)过温:过高的Freqquency以及过大的电流将导致IGBT的开关电容过度加热,最终导致其发生炸裂。
下面几个方面可以帮助我们预防IGBT炸裂:
(1)首先要选择适合的IGBT,电压和电流方面都要匹配适当;
(2)合理设计逆变电路的电压,避免电压过高导致IGBT炸裂;
(3)保证散热良好,降低一个元器件的超温;
(4)在设计PCB电路时,要注意的是线宽、截面等参数需要足够大;
(5)在整个生产、组装过程中,对于IGBT的防护、耐压测试也很重要。
以上就是IGBT炸裂的原因和预防措施的简单介绍,希望能够对电焊机半桥IGBT炸裂问题有所帮助,从而减少这种问题在实际生产中的发生,保障设备的安全运行。