在 MOS 电路中,米勒电容是指由于 MOS 管中晶体管增益的存在,导致输入电容与反馈电容产生耦合作用,从而形成的一种电容。
其主要的表现形式为在频率较低的情况下,输入电容与反馈电容的并联等效电容较小,而当频率增加后,则会形成一种“虚拟电容”效应,导致等效电容增大。
MOS 中的米勒电容存在的主要原因是晶体管的增益效应,当 MOS 管放大信号时,输入和输出的电容都会随之变化。
具体来说,当输入信号要经过 MOS 管时,会引起输入电容的变化,导致 MOS 管所接受到的信号不是纯粹的输入信号,同时反馈信号经过 MOS 管时也会产生同样的影响。
因此,在频率较高时,米勒电容会导致反馈电容的作用变弱,进而影响电路的性能,产生负面影响。
米勒电容对 MOS 电路的影响主要表现在频率响应和截止频率上。
频率响应:在频率较低时,米勒电容的影响较小,频率响应较平稳。而当频率逐渐增加时,米勒电容的作用会变得越来越显著,导致频率响应逐渐下降。
截止频率:随着输入输出端口上的电容不断变化,反馈电容和输入电容通过共同的电压源产生了一个耦合电容。这个耦合电容将导致一个下行趋势,从而影响电路的截止频率。当电路频率达到截止频率时,输出信号的幅值就会开始下降。
针对米勒电容产生的影响,最常见的解决方法就是在输入和反馈电容后面加上一个陷波器。陷波器可以使米勒电容产生的高频分量被隔离掉,使电路的频率响应更加平滑。
另一种方法是使用低压差环形反馈电路,不仅可以降低 MOS 管的输入电容,还可以消除路由器输出反馈电容中出现的干扰信号。