igbt为什么会烧毁 IGBT烧毁的原因分析

1、IGBT的基本结构与工作原理

IGBT是一种新型半导体器件，是MOSFET和BJT两种器件优点的结合，具有低电压控制、低导通电阻、大电流承受能力等优点，被广泛应用于工业电气领域的功率控制领域。IGBT的基本结构由PNPN差异较小的npn型绝缘栅双极晶体管（IGCT）和pn结型场效应晶体管（MOSFET）组成。

IGBT在工作过程中，当从栅极施加正电压时，会形成电子-空穴对，使得npn结区的电子被空穴注入，同时pnp结区的空穴被电子注入，这种注入效应会形成一种类似晶体管放大器的效应，将较小的控制信号，转化成较大的输出信号，实现功率放大。

2、IGBT烧毁的原因

2.1 温度过高

IGBT温度过高是导致IGBT烧毁的主要原因之一。IGBT的导通电阻很小，但它的输出电流非常大，在高频换流的情况下容易引起管体温升，进而影响IGBT的正常使用。IGBT的耐温一般在150℃左右，超出该温度范围的使用，会使灵敏元件逐渐损坏，电路失去约束，最终导致器件烧毁。

2.2 过电压/过电流冲击

IGBT在正常使用过程中，如果发生过电压/过电流冲击，会导致管子极化不均匀，因此在高负载电流的情况下会直接导致管子击穿、短路和烧毁等现象。过大的电流和压力的协同作用，会破坏电路中的所有组件，如电容器、电阻、变压器等，对设备造成损害甚至影响其使用寿命。

2.3 静电放电

静电放电是指当两个带电体发生直接接触、电场调制、电磁波辐射或者电离气体参与时，电荷之间的变化会导致高电压冲击的现象。使用IGBT时，往往会遇到对货品进行分装、拆卸时接触到半导体器件，由于带电体之间的作用，造成的静电放电，容易损坏IGBT，从而导致烧毁。

2.4 设计不当

设计不当也是导致IGBT烧毁的原因之一。如果选择的IGBT器件不能满足电路的应用需求，设备运行过程中可能会发生持续的工作越限现象，应用电路的间隔电压评级、额定电流、较高的操作温度等方面也必须进行合理的考虑和选择。因此，在设计和选择IGBT的过程中，必须精确计算和分析电路参数，确保设计合理，避免IGBT烧毁。