mos为什么导通时有压降 为何MOS管导通时存在压降？

1、MOS的结构

MOS是金属氧化物半导体场效应管的缩写，其结构主要由金属栅、氧化物和半导体组成。在导通状态下，金属栅的信号可以被传输到半导体中，从而控制MOS的电流流动。当MOS导通时，由于金属栅和半导体之间存在一个氧化物层，从而会导致电流的压降。

2、MOS的电流流动

MOS导通时，电荷会在金属栅和半导体之间形成一个电荷层。这个电荷层的形成使得电子可以从金属栅中通过热激发等方式进入电介质，并在电介质中迁移，最终进入半导体中。同时，金属栅的电子也可以进入半导体中，从而与电子形成一个导电通道。当对MOS的控制电压增大时，电荷层的厚度也会增加，从而导致通道的宽度变小，电流的流动受到限制，这也是MOS强度的表现。

3、电荷的堆积

MOS的导通状态下，金属栅和半导体之间形成的电荷层，会在金属栅的表面产生相应的电荷。这些电荷的分布类似于导线的分布，会引起电压的降低。同时，在半导体中引起电荷的堆积，也会导致电荷的分布不均，从而导致电压的降低。

4、漏电电流的存在

当MOS导通时，电荷层的存在会导致漏电流的存在。这意味着即使没有过多的电压应用在MOS上，也会有一定的电流通过。而漏电流的存在也会导致电压的降低，增加了MOS导通时压降的可能性。