拓扑正激(topological excitations)是一种出现在拓扑物态中的激发,与普通激子不同的是,拓扑正激存在于物质中的拓扑结构中,而不是单个粒子的自由度中。
拓扑正激的出现与物质的拓扑相联系,例如在拓扑绝缘体中,电子在能带结构上发生了拓扑变化,这种变化导致拓扑正激的产生。
拓扑正激的种类繁多,其中比较常见的有:拓扑声子(Topological phonon)、拓扑磁单极子(Topological magnetic monopole)、拓扑自旋子(Topological spinon)等。
其中拓扑声子是一种出现在拓扑绝缘体中的激发模式,由于普通声子只和质点的位移有关,不涉及带电粒子的运动轨迹,而拓扑声子和拓扑绝缘体的边界状态紧密相连,在端面上有类似于电子出现于半导体表面的边界态。
拓扑正激的研究在量子计算、拓扑材料、自旋电子学、拓扑光子学等领域具有广泛的应用前景。
以量子计算为例,拓扑正激的稳定性和非局域性质使其成为一种稀有的量子比特,拓扑量子计算中关于拓扑正激相互作用的研究也备受关注。
目前关于拓扑正激的理论和实验研究依然处于初级阶段,很多问题仍待进一步深入研究,例如怎样识别和控制拓扑正激的种类和位置,怎样制造更加稳定和实用的拓扑体系等等。
拓扑正激的科学研究和技术应用无疑是一个高度多学科交叉、需要理论和实验相结合的领域,需要更多的科学家和技术人员去深入研究和探索。