MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，由金属电极、氧化物层和半导体晶片组成。当mos管的栅极电压Vgs达到一定值时，晶体管的漏极与源极之间的电场会足以使固体绝缘层（氧化物层）上的电子穿透，形成由漏-源之间的电流。此时，mos管被认为是击穿了，其特性发生了根本性的变化。
mos管的击穿电压取决于氧化物层的质量，欧姆场强的硅抗击穿电压为10~20V/㎛，百纳米级的硅氧化物的击穿电压大约在1千伏左右，随着工艺在工艺不断推进，击穿电压一直在下降。
mos管的击穿有两种情况：一种是恒压击穿，另一种是恒流击穿。
mos管的击穿机制主要有两种，一种是边缘效应击穿（也称为迈克尔-福斯效应击穿），另一种是隧道击穿。
边缘效应击穿（MEB）是指氧化层边缘与硅基之间的区域边缘电场增强，到达氧化层材料本身对电子的击穿场强时，电子就可以穿透到此区域中，形成载流子击穿。MEB是亚微米P-/N结最重要的击穿机制之一。
隧道击穿（ZB）是指在氧化层薄到一定程度的概率下，电子穿过界面形成电流。由于晶体管的体积很小，所以最明显的隧道效应是在厚度小于3nm的超薄氧化层上出现的。当薄氧化层中的几率波超过氧化层本身的能带绝缘带宽时，便形成了载流子的穿越。
mos管的击穿不仅仅取决于材料和结构本身，还取决于其他因素:
1)温度：mos管的击穿电压随着温度的升高而降低。
2)湿度：由于湿度的存在，会让氧化物电常数变小，击穿场强也随着增加，所以mos管的击穿电压会变小。
3)电场：mos管在外电场作用下，其击穿电压具有可调性。
mos管具有低导通电阻、高共模拒御比和抗干扰能力强的特点，广泛应用于模拟电路、数字电路、功率器件和开关电源等领域。
在模拟电路中，mos管作为增益放大电路、运算放大电路中的输人电路，同时也是阻容耦合构成的滤波器中组成构成的关键元器件；
在数字电路中，mos管是CMOS电路中记忆器辅助器件、静态存储器中的组成元器件；
在功率器件中，mos管是直流马达电子调速，家用电器、电子玩具、曲线扫描显示器的功率放大器等应用的主要器件；
在开关电源领域，mos管被广泛应用于交流电源、直流电源和UPS不间断电源等。
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