场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种三极管,与传统的晶体管相比,它的主要特点是输入电阻高,输出电阻低。FET的工作原理是通过控制栅极电势来控制漏极电流。栅极电势可以在不直接接触半导体晶体管的情况下,改变芯片内部半导体材料的导电类型和固有电荷,在这样的效应下,它可以起到放大和开关作用。
与三极管和直接耦接(BJT)相比,场效应管的优点是不需要速度较快的输入电路,具有更高的输入电阻,因此在高效率模拟电路、低噪声放大器、高精度电压转换器、大电容的低频滤波器等应用范围非常广泛。
加上外加正向偏压后,FET栅极和漏极之间产生一个电场,电场的强度决定了电子的漂移速度和输出的电流强度,由此构成基本的信号放大器,广泛应用于放大小信号、中等功率信号和大功率信号应用中。
在电路中,FET可以用作开关器件,通常是用漏极电流的变化来控制。具体来说,当栅电源沟道空穴数量或碳原子连接阴极静态工作点电压时,它可以控制电路中的电流流经和隔离等,广泛用于大电流、高频开关和光电开关等领域。
FET也可以用来制造振荡器,基本电路包括一个反馈路径,以便使晶体管振荡。振荡器可以用于许多应用,例如电视、收音机和其他无线电设备等。
FET可以作为数字逻辑门的构建材料,用于实现多种逻辑函数(包括与门、或门、非门和异或门),其中CMOS技术非常重要。CMOS(复合金属氧化物半导体)技术可以制造实现大量逻辑函数的高集成度芯片,低功耗、高速度等设计特点使其成为当前数字逻辑电路设计中最常用的材料之一。