为什么要双硅做后极 为何选择双硅作为后极材料？

为什么要双硅做后极

随着半导体产业的快速发展，芯片制造技术也不断得到提升和创新，其中包括双硅做后极技术（Double silicon back contact）。这项技术之所以备受青睐，具体原因如下：

1、提高发电效率

在单硅做后极技术中，电池片的正负极分别在表层和背面，当太阳光照射到电池片表面时，经过一系列物理过程后转化为电能。但由于表层需要承担负载和传递电流，其中会有一定的损耗。而双硅做后极技术，通过将电池片的正负极都放在背面，可以充分利用表面进行光电转换，提高发电效率。

2、提高耐久性

双硅做后极技术可以增加电池片的耐久性。普通厚度的电池片在长时间使用时，由于材料的疲劳和因素的侵蚀，会出现电流漏出和电池表面损坏等情况，影响整个电池组的使用寿命。而双硅做后极的电池片背面都是铝合金或铜合金，具有优异的耐腐蚀性和高温稳定性，可以有效缩短电池片的老化时间，提高电池的使用寿命。

3、降低电池成本

双硅做后极技术可以降低电池成本。传统电池片在加工过程中，需要将正负极分别刻在不同的表面，增加了刻画难度和生产成本。而双硅做后极技术可以将电池片正负极放在背面，使得处理工艺更容易，成本更低。

4、符合可持续性发展理念

双硅做后极技术可以提高太阳能电池的效率，使得更多人使用太阳能电池，在减少二氧化碳排放、保护环境方面发挥着重要作用。这符合现代社会的可持续性发展理念。