MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应管,通过改变栅电压来控制源极电流。在电子学领域中使用广泛,具有高阻抗、低功耗、大电流等优点。MOS管通常分为N沟道和P沟道两种类型,其符号表示也略有不同。
N沟道MOS管的符号表示如下:
其中,D表示漏极,S表示源极,G表示栅极。栅极与漏极之间存在一层绝缘氧化物,称为栅氧化物,起到隔离栅极与漏极的作用。
P沟道MOS管的符号表示如下:
其符号表示与N沟道MOS管类似,但栅极和漏极的材料极性相反。
除了常见的N沟道和P沟道MOS管的符号表示外,还有一些特殊的MOS管符号,表示方法如下:
1) CMOS(复合MOS)管的符号表示:
2) MOS场效应晶体管(MOSFET)的符号表示:
以上符号均是由基本的MOS管符号演变而来,根据实际应用需要进行不同的扩展和改变。