IGBT,即晶体管开关与双极性晶体管的混合器件,常用于高电压、高电流的开关电源中。在IGBT开启时,需要有一定的控制电压,通常控制电压为15V以上。而当IGBT导通时会发生一定的电压降,简称为IGBT导通压降。
在IGBT的应用场景中,IGBT导通压降是一个重要的技术指标。它通常会影响到开关电源的效率、输出性能等方面。因此,对于IGBT导通压降的分析和研究,具有重要的理论和实际意义。
IGBT导通压降的大小取决于多种因素,主要原因包括:
1)二极管导通损耗
IGBT作为一个双极性晶体管,其内嵌二极管导通时会产生一定的损耗,从而导致导通压降。
2)漏感电压
在开关电源中,IGBT进入开启态时,内部感应出一定的漏感电压,从而导致导通压降。
3)输出电容放电
当IGBT进入关断态时,外部电路会通过IGBT内部的输入电容放电,这种放电过程也会导致导通压降。
为了降低IGBT导通压降,可以采取以下措施:
1)选择合适的IGBT工作参数
研究表明,在一定的工作范围内,IGBT导通压降随着IGBT工作电流的增加而增大。因此,要降低导通压降,合理选择IGBT的工作电流、电压等参数非常重要。
2)加入抗串扰网络
为了降低漏感电压造成的IGBT导通压降,可以在IGBT的输入端加入抗串扰网络,通过减小漏感电压的幅值,有效降低导通压降。
3)加强散热
在高功率、高频率的开关电源应用中,IGBT产生的热量会非常大。加强散热措施,降低温度,可以有效减小二极管导通损耗,从而降低导通压降。
IGBT导通压降是开关电源应用中一个重要的技术指标。它主要受二极管导通损耗、漏感电压和输出电容放电等因素的影响。为了降低导通压降,可以通过选择合适的工作参数、加入抗串扰网络和加强散热等措施。这些措施在实际应用中可以有效地优化IGBT的性能,提高开关电源的效率和输出性能。