晶振电容是晶振电路的核心组成部分之一,主要是用来产生有规律的电信号,驱动MCU工作。晶振电路的稳定性与晶振电容的质量有很大关系。
晶振电容通常分为两个,即外部负载电容和自主固有电容。外部负载电容一般是外置的,主要用来调节晶振的振荡频率。自主固有电容则是晶振自身固有的电容,也称为晶片相关电容,主要是为了让晶片本身和晶振电路相互配合起来。
晶振电容主要有两种类型:陶瓷电容和铝电解电容,它们各有利弊。
陶瓷电容具有尺寸小、稳定性好、寿命长等特点,适用于晶振频率高的情况下,本身自身电感值较低,使用较为广泛。
铝电解电容则由于其结构和材料的限制,自身电感值较高,对于频率较低的晶振频率,容易出现共振现象影响晶振电路的稳定性。
根据晶振的频率选择合适的电容量值是非常重要的。通常,对于8MHz以上的晶振,可以采用较小的陶瓷电容,如10pF、15pF等。而对于较低频率的晶振,一般建议采用较大的陶瓷电容或铝电解电容,以克服电感对晶振的负面影响。
在实际应用中,还需要结合电路板的布局、环境温度、菲涅尔噪声等因素进行综合考虑。
晶振电容作为晶振电路中重要的组成部分之一,对于MCU系统的正常运行非常关键。在选择晶振电容的类型和容值时,需要考虑晶振频率、电路布局、温度变化等多种因素,以提高电路的稳定性和可靠性。