在下图中,我们可以看到4个MOS晶体管,并且它们都有不同的标识。我们需要深入研究它们的不同之处,来判断它们的类型。
MOS晶体管有两种类型:NMOS和PMOS。NMOS晶体管使用n型基片作为基础器件,而PMOS晶体管则使用p型基片。在下图中,我们可以看到两个标识为M1和M2的晶体管。通过观察连接到晶体管的管脚,我们可以看到M1连接到Source和Drain的两个管脚都是在p型基片上,而M2连接到Source和Drain的两个管脚都是在n型基片上。因此,M1是PMOS晶体管,而M2是NMOS晶体管。
根据工作原理的不同,MOS晶体管可分为增强型和耗尽型。增强型MOS晶体管需要施加正电压才能使场效应管导通,而耗尽型MOS晶体管则需要施加负电压才能导通。在下图中,我们可以看到被标识为M1和M3的两个晶体管。通过观察它们的控制电极Gate连接到的电源,我们可以发现M1的Gate连接到VDD(正电源),因此它是增强型MOS晶体管。而M3的Gate连接到VSS(负电源),因此它是耗尽型MOS晶体管。
CMOS晶体管是由一对互补的MOSFETs(NMOS和PMOS晶体管)组成,它们有相同的Gate控制电极。在下图中,M1和M2两个晶体管就是一对互补的MOSFETs,它们被连接在一起形成了一个CMOS晶体管。这种布局可以大大降低功耗,并且提高可靠性。