晶振振荡是指在晶体管、集成电路等电子元器件中运用晶体振荡装置产生高稳定频率的振荡信号。晶振旁边接电容是为了消除晶振电路中的噪声电平，提高晶振的稳定性和可靠性。晶振和电容之间形成了谐振电路，振荡频率和稳定性可以通过选择合适的电容来进行调节。
如果晶振所在的电路板上没有接电容，那么噪声电平就容易泄露到晶振电路中，干扰振荡信号的稳定性，从而导致电子元器件的不正常工作，或是完全无法工作。因此，在设计电路时，需要在晶振旁边接上适当的电容，来消除噪声电平，提高晶振的稳定性。
晶振本身具有一定的频率和温度特性，振荡频率和温度会引起一定的漂移。为了解决晶振的频率漂移和温度漂移问题，需要在晶振旁边接上适当的电容。
首先，电路中存在一定的电容、电感、电阻等元素，会对晶振的频率和温度特性产生影响，导致晶振振荡频率和温度漂移。利用晶振旁边的电容可以补偿这些影响，从而降低晶振振荡信号的漂移量。
另外，晶振频率漂移和温度漂移也与晶振本身的特性有关。通过对晶振旁边接入电容进行调节，可以补偿这些漂移特性，从而提高晶振振荡信号的稳定性和可靠性。
电路板上会有许多电子元器件，它们之间会产生电磁干扰和串扰。晶振是电子元器件中比较敏感的部分，容易受到电磁干扰和串扰的影响，从而使晶振振荡信号的稳定性下降，影响电子元器件的正常工作。
通过在晶振旁边接入电容，可以抑制电磁干扰和串扰的影响。电容可以阻止电流短时间内的变化，从而减缓电磁干扰和串扰产生的影响，提高晶振振荡信号的稳定性和可靠性。
晶振在电子元器件中发挥着非常重要的作用，如果晶振振荡信号受到干扰，就会影响到电子元器件的正常工作。因此，如何提高电路的抗干扰能力，也成为了电子元器件设计中重要的问题。
晶振旁边接入电容可以增强电路的抗干扰能力。电容可以吸收和放出电荷，从而减缓电路中短时间内电荷的变化，提高电路的稳定性和可靠性。此外，电容还可以形成抗干扰滤波器，削弱电磁干扰和串扰的影响，提高电路的抗干扰能力。
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