mos管是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管,被广泛应用于电子设备、通信和计算机等领域。
mos管主要由金属、氧化物和半导体三种材料组成,具有高电压、高频率和高工作温度等优点。其工作原理是通过调节栅极电压来控制漏电流,因此对于mos管来说温度的变化也会对其工作产生影响。
mos管的电阻随温度的变化情况是非常复杂的,但一般可简单分为两类:
1. 温度升高,导通电阻变小,因此电流增大。这是由于材料内的杂质浓度随温度变化导致的。此特性又称为温度负反馈。
2. 温度升高,电场强度增强,因而击穿与漏阻的电压值降低,致使漏电流增加。这是制约mos管高温工作的主要因素,又称为热失效。
由于功率器件在工作过程中会产生大量的热量,因此必须设定它的额定工作温度。mos管的额定工作温度通常在85℃~125℃之间,不超过这个范围的工作环境中,mos管能正常、稳定地工作。
但需要注意的是,在实际应用中,mos管的温度通常会高于环境温度,因此在设计时必须考虑良好的散热设计,以确保mos管的工作温度不超过其额定范围。
为了保证mos管正常工作,必须全面了解其温度变化情况。常见的测量mos管温度的方法包括接触式和非接触式两种方式。
接触式温度测量是通过将测温仪表的测头与mos管直接接触,然后读取其温度数值。由于接触传热的特性,这种方法可得到较为准确的mos管表面温度。
而非接触式温度测量是使用红外线测温仪等感应式温度测量设备,通过对mos管表面辐射出的红外线颜色进行读数,得到mos管表面的温度。这种方法适用于需要进行远距离、批量检测的场合,但其精度相对于接触式测量方法稍低。