Flash 存储器设备主要由晶体管和电荷泵组成。晶体管的储存状态由电荷量的大小决定。在 Flash 写入数据时,电荷被注入到晶体管中,成为电子,用于表示二进制数据 "1",不注入电荷指状态为 "0"。
由于 Flash 存储介质的物理特性,存储的数据不能精确擦除,即不能将所有存储的数据全部转化为 "0",会产生电荷残留在晶体管中。
这种现象被认为是Flash 存储器的本质局限性之一,可能导致存储器的更快磨损和 / 或更差的数据读取精度。
Flash 存储器的擦除涉及到软件和硬件两种方式。
软件擦除的方式使用电子擦除,利用存储器提供的特殊命令进行操作。硬件擦除方式是通过在芯片上添加专用电路,以完全擦除数据。
当数据量过大时,软件擦除比硬件擦除要慢得多。因此,为了更好的性能和可靠性,大部分Flash 存储器都采用硬件擦除方式来清除数据,并支持更快的写入速度。
Flash 存储器使用中可能会出现一些小问题,例如:
(1)错误的地址:在读写数据时使用了错误的地址,会导致擦除操作失败。
(2)高电压:在进行擦除操作时,如果使用了太高的电压,可能会永久损坏存储器。
这些问题都需要妥善解决,以保证正确的擦除和存储数据。
Flash 存储器的擦除操作不可避免地会导致存储器的磨损。因此,Flash 存储器通常有一个"擦除次数"的限制。存储器的每个块只能被擦除一定次数。
当存储器块的擦除次数达到限制时,存储器就不再可靠,需要更换。所以,如果要确保存储器的寿命,需要合理地安排存储器的使用和擦除操作。