场效应管是什么电压控制什么电流 场效应管：电压与电流的控制。

场效应管简介

场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种半导体器件，与双极性晶体管（BJT）相比，具有输入阻抗高、噪声小等优点。由于场效应管的控制电路是电势，而不是电流，因此也称为电压控制晶体管（Voltage Controlled Transistor, VCT）。

场效应管有三种，分别是MOSFET、JFET和IGBT。其中，MOSFET用途最广泛，包括功率放大、开关、逆变等方面。这里我们主要以MOSFET场效应管为例，阐述它是什么电压控制什么电流。

电场控制

MOSFET场效应管的一个重要特点是电场控制。在MOSFET的结构中，有一个由P型材料构成的基底。在此基底上生长一层氧化物，上面再生长一层N型材料，就形成了MOSFET的基本结构。当接通MOSFET管的栅极时，栅极上的电场会影响氧化层下面的N型材料中电子的浓度，并将N型材料中形成一个“沟道”，这个沟道的电导率由栅极上的电压决定。而这个沟道控制了MOSFET的导通状态，进而决定了MOSFET的输出电流。

因此，我们可以说，在MOSFET场效应管中，电场控制了沟道中电子的浓度，进而控制了MOSFET的电流。

漏极电流

在MOSFET管的输出特性中，漏极电流是一个非常重要的参数。漏极电流指的是在给定的栅极电压下，MOSFET管的漏极端与源极端之间的电流。从公式上来看，漏极电流与栅极电压呈指数函数关系，即：

I_D = K(V_{GS} - V_{th})^2

其中，I_D是漏极电流，K是MOSFET管的特定参数，V_{GS}是栅极电压，V_{th}是MOSFET管的阈值电压。

从公式中可以看出，在MOSFET场效应管中，漏极电流是由栅极电压控制的，电流的大小取决于栅极电压与阈值电压之间的差值，并呈指数函数关系。

放大器应用

在MOSFET场效应管中，由于其高输入电阻和低噪声系数，使得它在放大器中有着广泛的应用。其中，源极接地的共源放大器是MOSFET应用的基本电路。在共源电路中，输入信号加在栅极上，输出取自漏极与源极之间，栅极和漏极之间称为跨导，并且跨导与漏极电流之间成线性关系，所以放大器的电流放大系数由栅极电压定义。

由此可见，MOSFET场效应管不仅可以用电压控制电流，而且能够利用电压控制电流来进行放大，这一特点使得MOSFET在放大器应用中有着独特的优势。