IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管是一种高压、大电流、高频功率开关器件。它结合了MOSFET的驱动简单和BJT的低导通压降特性,能够承受高电压,适合于高电压、大电流的开关控制系统。
IGBT烧坏原因有很多种,其中常见的包括:
(1)过流:IGBT承受电流过大时,可能会导致过热烧坏。这种情况常见于电路设计不合理、IGBT承受超额电流或者负载故障等问题。
(2)过压:当IGBT承受电压过大时,也有可能会因为击穿现象而烧坏。导致过压烧坏的原因可能是电路的工作条件超过了IGBT的额定工作条件,或者是隔离两路高压的IGBT元件没有正确连接。
(3)过热:在IGBT的工作过程中,由于它会发热,所以如果不能有效地散热,就有可能会导致温度过高而烧坏。这种情况常见于散热片的设计不合理、散热方式错误或者存在故障等问题。
为避免IGBT烧坏,可以采取下面的一些措施:
(1)保证IGBT元件在额定工作电压和电流下工作,不要让其承受超额的电流或者电压;
(2)优化电路设计,合理地安排IGBT元件的数量和位置;
(3)选用合适的散热器和散热方式,保证IGBT元件的散热效果
(4)增加熔断器、保险丝等保护元件,保护IGBT元件不会因负载短路、过载等异常情况而损坏;
IGBT在使用过程中,应该注意对其进行定期的检查和维护。主要措施包括:
(1)清理元件表面,在检查电路过程中,要及时清除元件表面积累的尘垢,保证其散热效果;
(2)检查是否存在贴片松动、线材破损等现象,修复或更换损坏的元件;
(3)定期检查保护电路的运行情况,发现异常情况及时解决,避免对IGBT元件的损伤;
(4)注意机房环境,保持工作环境的清洁、干燥、通风良好,避免环境因素对元器件的影响。