制程7nm,是半导体工艺制程中的一种,指的是每个晶体管的门极长度(或门极宽度)已经缩小到了7纳米。
随着制程工艺的不断发展,晶体管的门极长度在不断缩小,制程7nm相对于之前的制程工艺,意义在于:
1)提供更高的集成度,可以在同样面积的芯片上放置更多的晶体管,提高芯片性能;
2)更低的功耗和电压,相对于之前的工艺,制程7nm可以提供更高的处理性能,同时可以降低功耗和电压,延长电池寿命;
3)更小的体积,随着门极长度的缩短,整个芯片的尺寸也会相应地缩小,可以制造更小、更轻、更薄的设备。
虽然制程7nm有很多优点,但是由于技术的局限性,也存在一些制造难度:
1)光刻技术难度增加。由于门极长度已经缩小到了7nm,如果采用传统的光刻技术,就要求光源的波长必须缩小到30纳米以下,显然目前的实验室光源还无法满足这个要求,所以需要采用更先进的光刻技术;
2)材料的选择和制备难度加大。制程7nm需要使用新型的材料,如硅基外延材料、II-IV族外延材料等,这些材料的制备难度和成本较高;
3)电子在微观尺度下的行为更加复杂。由于门极长度缩短,电子在晶体管中的运动就会受到更多微观效应的影响,如隧穿效应、量子限制效应等,需要更加复杂的物理模型和算法来描述和模拟。
目前,制程7nm已经被应用在了各种高端芯片中,如:
1)手机芯片:苹果的A14 Bionic、高通的骁龙888、华为的麒麟9000等;
2)服务器芯片:AMD的EPYC、英特尔的Xeon、IBM的Power9等;
3)GPU:英伟达的Ampere、AMD的Radeon等。
制程7nm是当前芯片制造领域的先进制程,但随着技术的不断发展,未来的芯片制造工艺将朝着以下几个方向发展:
1)制程工艺的进一步缩小。目前正在研究制程5nm、3nm等更为先进的制程;
2)三维集成电路。三维集成电路是指在同一芯片内部堆叠多个不同功能的晶体管层,可以极大地提高芯片的性能和密度;
3)新型材料的应用。如石墨烯、硼氮化硼等材料,具有更高的电子迁移率和晶体管驱动能力。