MOS场效应管,是一种电子器件,属于半导体器件中的一类晶体管,它是以霍尔效应为基础的半导体开关,也常被称作为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它的主要分为三大区域:漏(Source)、栅(Gate)、汇(Drain),其中,栅区为控制电极,而漏、汇则为电路的输入输出端口。
由于这种器件体积小、功耗低,因而被广泛用于各种电子设备中,例如数码电视、电子计算机、移动电话等。
MOS场效应管的主要应用领域有两个:一是功率电子领域,二是模拟和数字电路领域。
MOS场效应管在功率电子领域中有着广泛的应用,常被用于直流稳压器、单端和全桥直流转换器、电源开关、瞬态防护等电路中。这是因为它们有着低开启电压、低导通电阻、结构简单、体积小等优点;同时,MOS管也能承受高电压和高电流,很适合用于功率电子器件。
MOS场效应管的第二个主要应用领域是模拟和数字电路。常被用于触发器、振荡器、多谐振动器、分立的运算放大器、扫描器等电路中,能够在集成电路中起到很好的作用。
(1)低音频噪声
(2)高输入电阻
(3)低输入电流
(4)低开关失真
(5)负温度系数
(6)结构简单易制造
(7)体积小
(8)便于实现数字化控制。
(1)体积小且散热不良,因而通常不能承受太大的功率。
(2)具有内部电容,因而容易受到电压变化的影响。
(3)由于结构简单,其电路参数较难调整,不易满足特殊的、高精度的电路要求。
(4)还有电压、电流、高温等稳定性方面的问题,因而在电路中应用要特别注意。