在单片机中,SRAM是一种随机访问存储器,用于存储程序和变量数据。SRAM是静态RAM的缩写,是一种易失性存储器,在断电后存储的数据将会丢失。相比于动态RAM(DRAM),SRAM速度更快,读写速度更高,但存储密度相对较低,成本更高。
SRAM的存储原理是基于多个触发器组成的存储单元。一个SRAM存储单元由6个晶体管组成,其中2个晶体管构成一个反相器,用于存储数据。其余的晶体管构成两个传输门,用于控制数据读写。
SRAM的读写速度非常快,可以通过使一个存储单元的字线和位线同时被激活来读取或写入一个比特的数据。因此,SRAM比DRAM更受欢迎,尤其是在需要高速数据读写的应用中。
SRAM和内部FLASH都是单片机中的存储器,但它们有着不同的特点和用途。SRAM主要用于存储变量,通过CPU直接读写,读写速度非常快,但是存储密度相比于内部FLASH较低。而内部FLASH用于存储程序代码和常量数据,可以被CPU作为程序的执行空间,但是读写速度相对较慢。
由于SRAM容量较小,不足以存储程序代码,因此程序通常存储在FLASH中,同时,程序中需要频繁读写的变量可以存储在SRAM中,以获得更快的读写速度。
由于SRAM是易失性存储器,存储的数据在断电后将会丢失,因此需要通过一些手段来保护存储的数据。一种常用的方法是使用电池备份电路,将SRAM连接到一个电池上。在断电时,电池继续供电,保持SRAM中的数据不丢失。
另一种方法是使用EEPROM或Flash作为备份存储器来存储SRAM中的数据。当断电时,首先将SRAM中的数据存储到EEPROM或Flash中,然后在重新上电时,将备份存储器中的数据重新恢复到SRAM中。