硅素(Si)是地壳中含量第二多的元素,具有半导体性能,是制造电子器件的重要材料。然而,硅单质在大气中存在的是四面体结构,密度较大,不易被加工,因此需要采用其他方法制备成单晶状进行加工成片。这就是硅为什么外延的原因之一。
通常制备硅外延的方法有气相外延法、液相外延法、分子束外延法等多种。其中,气相外延法是比较常用的方法之一。其基本原理是:以含硅有机物为原料,在高温下分解,产生一定的硅饱和蒸气,通过在衬底表面上沉积不断增长,逐渐形成单晶硅片。这种方法能够满足硅大面积、高纯度、单晶生长的需要。
另外,还有液相外延法和分子束外延法。前者利用在溶解度很小的溶液中制备单晶,适用于高纯度的、大面积的外延材料的生长,如GaN、AlN等。而后者则是以束流淀积单元作为原料,通过在真空下,将这些单元有序排列并蒸发沉积在基片表面上的一种制备方法,能够获得超高的图案分辨率和材料单元的准确控制。
硅外延具有速度快、精度高、材料质量好等特点,因而在多个领域得到广泛应用。其中,计算机芯片制造是其最重要的应用之一,这得益于它具有良好的电子性能,能在不同厚度、形状的硅片上进行磊晶生长。此外,硅外延还被应用于太阳能电池、LED等光电器件、传感器等领域。
随着技术的不断进步和市场需求的不断变化,硅外延正在逐步发展出多种形式。如,利用碳化硅、氮化硅等其他半导体材料做为可控的衬底,以满足在晶体管、LED等领域中更高性能和功率要求。另外,石墨烯等新材料也被应用于硅外延的生长领域,具有很高的应用潜能。
总的来说,硅外延作为电子材料的重要组成部分,在多个领域有着广泛的应用前景,未来的发展势头十分可观。