IGBT（隔离栅双极型晶体管）是一种控制电力的半导体器件，是BPT（场效应晶体管）和普通双极晶体管的融合，它通过合并双极晶体管和MOSFET的优点，具有高输入阻抗、高开关速度、低开关损耗、低漏电流等特点，因此被广泛应用于高功率应用场合。
在实际应用中，IGBT的驱动方式通常分为正压驱动和负压驱动两种，正压驱动方式下，IGBT的控制极偏压为正值，控制电压与集电极电压之差为常数；而负压驱动方式下，控制电压为负值，与集电极电压之和为常数。相比之下，负压驱动方式具有以下几个必要性：
首先，IGBT的反向漏电流与控制极电压高度相关，如果使用正压驱动方式，容易因为控制极电压过高而导致反向漏电流过大，进而引起能耗损失，在高频、高电压、高温等条件下容易产生严重问题。
其次，IGBT功能拓扑结构复杂，在负载电流频繁变化的情况下容易导致共模电压的波动产生，因此需要采用负压驱动方式，以避免共模电压波动产生的干扰，提高开关效率。
最后，使用负压驱动方式还能降低元器件的电磁干扰和噪声，提高端节点对地的噪声容限、降低输出端的EMI/EMC噪声，从而提高总体的可靠性。
一般来说，可以采用两种方法实现IGBT负压驱动：第一种方法是通过反向直流电源实现，将负极驱动信号的电平低于IGBT驱动所需最小电平，可以避免控制极电压过高而导致漏电流过大的问题；第二种方法是通过电容和电阻串联的RC电路实现，控制极电压会随着电压降低而下降，在保证控制极电压不高的情况下使用低于IGBT最小电平的信号进行驱动，通常采用后者的方式来实现。
IGBT负压驱动常用于电力电子领域中的高压直流输电、变频器、电动汽车、交流调速等领域。在这些应用场合，频繁的开关操作非常频繁，因此需要使用低功耗、稳定、高效率的IGBT器件，并采用负压驱动方式来降低漏电流、减少EMI/EMC噪声等问题，从而提高可靠性和效率。
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