PN结，即半导体PN结，是一种非常常见的半导体器件。它由一块n型半导体和一块p型半导体组成，两块半导体通过界面结合成PN结。PN结的特性是，当它不接电源时，在PN结两侧形成的电场是相互平衡的，在PN结内形成的空间电荷区的宽度也是恒定的。当给P区施加正电压，N区施加负电压时，我们就说PN结被反向偏置了。
PN结的特性在半导体器件中有着非常重要的作用，是很多器件的基础。PN结反向偏置就是其中重要的一个应用。
反向偏置就是在PN结的两端施加反向电压的过程。在此情况下，P区的载流子被拒绝过去，N区的载流子也被拒绝过去。因此，在PN结的两端会形成一个电场，阻止电子通过。当反向偏置电压增加到一定程度时，PN结的电场会把大部分电子都拒绝出PN结，因此在PN结中就形成高电场区，从而影响内部电荷分布，使得PN结中空间电荷区宽度扩大。
这个高电场的增加同样影响PN结内部的电子与空穴的复合的速率。在反向偏置的情况下，这个速率减少，少量的电子空穴对被在PN结界面处的正、负离子所俘获而失去，而这些离子带有反向的电荷，因此可以增强PN结内的电场。这种反馈现象称为击穿效应，当电压继续增加时，PN结内的电流就会急剧增强，使得器件被损坏。
PN结的反向偏置具有很多应用。例如：
在Zener二极管中，当反向电压达到特定值时，电流开始迅速增加，类似于击穿现象。这种Zener二极管在压力稳定电压时被用作电压参考。（如图所示）
光电二极管也是PN结，当光子进入PN结，可能会影响其中空穴和电子的浓度及其分布，从而影响PN结的电流和电压。
PN结反向偏置的检测可以使用万用表或电压表。将万用表或电压表的电极正极（红色）连接PN结反向偏置的P区，负极（黑色）连接N区，当电压表中读数为0时，即为PN结反向偏置。
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