半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如陶瓷）之间的材料，有一些特殊的电学特性。这些电学特性是半导体在电子学和光电学领域中广泛应用的基础。而半导体的三大特性，也就是导电性、掺杂性和 PN 结，是半导体更为重要的电学特性。
半导体的导电性意味着它具有一定的电导率，即电子在其中可以自由运动。不同于导体，半导体的导电性可以通过将掺杂元素添加到其晶体结构中来改变。常用的掺杂元素包括：硼、磷、锗和砷等，这些元素的加入可以分别形成p型和n型半导体，从而改变半导体的导电性质。
p型半导体在掺入少量象限外电子的元素（如三价元素硼）后，会导致部分空穴减少。这样，当p型半导体和n型半导体通过PN结接在一起时，空穴和电子会在PN结中流动，从而形成电流。这种现象被广泛应用于半导体器件中，如双极型晶体管和场效应晶体管等。
半导体的掺杂性是指在制造过程中，将一些外部元素（掺杂剂）引入其晶体结构中，以改变其导电性质。当外部元素缺失电子或多余电子时，它们会成为晶体中的自由载流子，在电场或光场作用下产生电导性。
掺杂可以使半导体材料形成不同的导电性质，如p型和n型。在p型半导体中，被掺杂的物质中含有空穴缺口，使它们作为带正电荷的材料，当电子从半导体中移动时，空穴移动，导致电流。相反，n型半导体在被掺杂的物质中含有额外的电子，使它们作为带负电荷的材料，当电流通过时，电子会移动，导致电流。
PN结是由p型半导体和n型半导体组成的电子器件。它的构造可以通过在一片n型半导体上放置一片p型半导体来实现，两片半导体之间会形成一个空间区域，在该区域内电子和空穴被大量剥夺，从而形成一个无法导电的绝缘区域。
当PN结被加以电场作用或光照射时，绝缘区域中的离子会被电场或光子激活，电子和空穴会在PN结的绝缘区域中移动，导致电流。PN结的应用非常广泛，如整流二极管、发光二极管和太阳能电池等。
以上就是半导体三大特性的阐述，包括导电性、掺杂性和PN结。这些特性是半导体在电子学和光电学领域中广泛应用的基础。除了上述特性之外，半导体还具有其他的电学特性，如电子迁移率、电火花和电子自旋等，这些都是半导体在更深层次应用中的重要因素。
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