pn结是指由P型半导体和N型半导体通过熔合或扩散等方法产生一个正向偏压的结，同时，在这个结的两侧形成一个电场，形成了一个重要的p-n转换区域。
pn结在半导体器件的制造中起到至关重要的作用，如二极管、晶体管、场效应器件等都需要用到pn结。
当pn结被正向偏压时，P区的空穴向N区的电子注入，同时，N区的电子向P区的空穴注入。由于正向偏压的作用，pn结变得导电，电子和空穴开始在转换区继续扩散，且扩散速率随着正向偏压的增大而加快。
而在转换区中的电子和空穴聚合，形成正向偏压的电流I的主要组成部分。另一个方面是由于pn结两侧的电场的不平衡，在P区和N区的接口处形成空间电荷区，即层结电容，这个电容与偏压有关，随着偏压增大层结电容减小。
当pn结被反向偏压时，由于阻挡层电荷效应，导致电子和空穴不能穿过pn结，形成了极高的电阻，此时，只有极小的反向电流流过管子。
另一个方面，随着反向电压的增大，PN结中的层结电容增大，当反向电压达到一定程度时，即到达击穿电压，电容迅速减小，使大量的反向电流通过PN结，pn结被激励成射频振荡器、瞬变抑制器等多种电子器件。
pn结在高温下，其反向电流显著增大，这是由于热激发产生的载流子增多，进而导致晶体管中电偏压增加，从而使反向电流增大。且pn结的特性曲线在高温条件下会发生移位。
而在低温度下，pn结的电参量如温度系数等会有一定程度地变化，较低的温度会导致温度系数变得更小，从而使电子器件的稳定性与精度更高。
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