DG200,又称为DGDG200-3P120N,是一种N沟道MOS场效应晶体管,常被用于功率放大器的设计中。下面从结构、参数、特性和应用四个方面展开阐述。
DG200晶体管的结构遵循MOS管的常规结构,由源极、漏极和栅极组成。与一般的MOS管不同的是,DG200将大量的压缩功率电缆和低阻抗冷却剂注入了源引线和漏引线之间的微孔中,实现了高功率和高可靠性。栅极由掺杂硅制成,一般摆放在漏极上方,与硅化物绝缘,能有效控制漏电流输出电流。
DG200的参数主要可以分为静态参数和动态参数两类。
静态参数包括:最大漏极电压(VDS_max)、最大栅极极限电压(VGS_max)、最大连续漏极电流(ID_cont)、最大漏极功率(Pd_max)等。
动态参数包括:漏极导通电阻(RDS_on)、栅极电荷量(Qg)和栅极耦合容量(Ciss)等。
DG200的特性主要表现在其高功率、低损耗、高可靠性、低噪声等方面。其低内阻、高内部斜率、高开关速度、低噪声等特点,使得DG200在功率放大器和电子开关等领域得到广泛应用。
DG200在功率放大器中的应用最为广泛。将DG200与其他模块进行组合,可以构建不同功率的电子开关模块。此外,DG200还常用于输入输出阻抗与平衡等方面的设计。