NCE80H11是一款N沟道MOSFET管,具有高电流密度和低开关电阻等特性,广泛应用于电源管理、电机控制、照明等方面。
其封装形式为TO-252(DPAK),体积小巧,热阻低,易于布局和散热。
1. 额定电压:
NCE80H11的额定电压为100V,可满足大多数低压电源控制的需求。
2. 典型电阻:
其典型导通电阻为8.5mΩ,具有低导通损耗和高效率的特性。
3. 最大电流:
NCE80H11最大允许电流为80A,可满足大功率应用的需求。
1. 电源管理:
NCE80H11的低导通电阻和高电流密度特性,使其适用于各种类型的DC-DC变换器的输出级。
2. 电机控制:
NCE80H11的高电流和低导通电阻,使其适用于直流电机驱动器和步进电机驱动器。
3. 照明:
NCE80H11适用于LED驱动器、荧光灯电路和氙气灯控制器等。
NCE80H11是一款性能稳定、应用广泛的MOSFET管,其高电流密度和低导通电阻特性,为电源管理、电机控制和照明等领域的设计带来了更多的灵活性和效率。