集成电路版图基础

《集成电路版图基础》是2006年10月清华大学出版社出版的图书，心确百镇作者是(美)塞来自因特。

• 书名 集成电路版图基础
• 作者 (美)塞因特
• ISBN 9787302133711
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2006年10月1日

内容简介

　　该书在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计，使读者知其然，知其所以然。

　　《集成电路版图基础:实用指南》(翻译版)的一个突出特点是:《集成电路版图基础:实用指南》(翻译版)内容的重点是版图设计的基础知识，对于新示盟境集头或位怎入行的从业者，这是一个良好的开端;对于有经验的设计者，则可作为对设来自计经验的回味和思考。

目录

　　第改头沙德艺标冷至款营1章 电路基础理论1

　　1.1内容提要1

　　1.2引言1

　　1.3基铁指情危印气沿升试皇本电路回顾2

　　1.3.1同性相斥，异性相吸2

　　1.360百科3.2基本单位3

　　1.3.3串联公式4

　　1.3.4并联情药公式4

　　1.3.5欧姆定律4

　　1.3.6基尔霍夫定律5

　　1.3.7电路单元符号7

　　1.4导体、绝缘体和半导体8

　　1.5半导体材料9

　　1.5.1N型材料11

　　1.5.2P型材张很露兰众路错料12

　　1.6PN结13

　　1.6.1势垒13

　　1.6.2通过势垒的电流定多行油查分医14

　　1.6.3二极管16

　　1.6.4二极管应用17

　　1.7半导体开关18

　　1.7.1一个灯开关的例子18

　　1.8场效应19

适类处收温　　1.8.1场甲核宽说晶境液效应晶体管21

　　1.9开关隔离22

　　1.10增强型器件和耗尽型器件24

　　1.11互补型开关26

　　1.12N阱和衬底接触27

　　1.13逻辑电路27

　　1.13.1用电压表示逻辑状态28

　　1.13.2CMOS逻辑电路28

　　1.13.3与非门31

　　1.13.4或非门31

　　结束语33

　　本章对用早更学过的内容34

　　应用练习34

　　第2章 硅加工工艺39

　　2.1内容提要39

　　2.2引言39

　　2.3集成电路版图40

　　术洋提顺搞压露半脚黄临2.3.1基本矩形41

　　2.4硅晶圆制造42

　　手灯星青买望2.5掺杂45

　　2.5.1离子注入46

　　2.5.2扩散46

　　2.6生长材料层47

　　2.6.1外延47

　　2.6.2化学气相沉积4助编质8

　　2.6.3氧化目实官频装货含把层生长50

　　2.6.华乱及别4溅射50

　　2.6.5蒸发50

　　2.7去除材料层51

　　2.8光刻51

　　2.9芯片制造53

　　2.9.1下凹图形的加工53

　　2.9.2凸起图形的加工55

　　2.9.3平坦化57

　　2.9.4作为掩模的二氧化硅57

　　2.10自对准硅栅58

　　结束语61

　　本章学过的内容62

　　第3章 CMOS版图93

　　3.1内容提要93

　　3.2引言93

　　3.3器兵统太高晚无想形脚黄换件尺寸设计94

　　3.3.1SPICE94

　　3.3.2大尺寸器件的设计97

　　福先练段板论3.4源漏区共用102

　　3.5器件连接技术105

　　3.6紧凑型版图108

　　3.7棒状图109

　　3.8阱连接和衬底连接115

　　3.8.1阱连接布局117

　　3.9天线乐冲效应119

　　3.10多晶硅引线122

　　3.11图形关系123

草革迫间财　　结束语125

　　本章学过的内容125

　　应用练习125

　　第4章 电阻129

　　4.1内容提要129

　　4.2引言129

　　4.3电阻概述130

　　4.4电阻的测量131

　　4.4.1宽度和长度131

　　4.4.2方块的概念132

　　4.4.3每方欧姆135

　　4.5多晶硅电阻公式139

　　4.5.1基本电阻器版图140

　　4.5.2接触电阻142

　　4.5.3改变体材料151

　　4.6实际电阻分析155

　　4.6.1接触区误差155

　　4.6.2体区误差155

　　4.6.3头区误差156

　　4.6.4扩展电阻158

　　4.6.5总电阻方程161

　　4.7实际的最小电阻尺寸162

　　4.8特殊要求的电阻163

　　4.8.1大电阻?低精度163

　　4.8.2小电阻?高精度166

　　4.9设计的重要依据--电流密度166

　　4.10版图误差分析171

　　4.10.1电阻器误差的来源171

　　4.10.2误差要求171

　　4.11基本材料的复用172

　　4.12扩散电阻和多晶硅电阻的比较175

　　4.12.1双层多晶硅176

　　4.12.2Bipolar/BiCMOS176

　　结束语176

　　本章学过的内容177

　　应用练习177

　　第5章 电容183

　　5.1内容提要183

　　5.2引言183

　　5.3电容概述184

　　5.3.1电容器的特性184

　　5.4电容值计算187

　　5.4.1表面电容188

　　5.4.2边缘电容189

　　5.5N阱电容器191

　　5.5.1寄生电容193

　　5.6金属电容器194

　　5.6.1叠层金属电容器195

　　5.6.2氮化物介质电容器195

　　结束语196

　　本章学过的内容196

　　第6章 双极型晶体管197

　　6.1内容提要197

　　6.2引言197

　　6.3工作原理198

　　6.3.1基本结构198

　　6.3.2NPN晶体管工作原理200

　　6.4纵向工艺203

　　6.4.1FET和NPN晶体管的开关特性比较203

　　6.4.2层的结构204

　　6.5NPN管的寄生效应206

　　6.6PNP晶体管207

　　6.6.1横向PNP管207

　　6.7双极型晶体管版图与CMOS版图的区别209

　　6.7.1设计规则的数量209

　　6.7.2黑匣子式的布局211

　　结束语211

　　本章学过的内容212

　　第7章 二极管213

　　7.1内容提要213

　　7.2引言213

　　7.3二极管的种类213

　　7.3.1基本二极管214

　　7.3.2由双极型晶体管构造的二极管214

　　7.3.3变容二极管217

　　7.4ESD保护218

　　7.5特殊版图结构222

　　7.5.1圆形版图222

　　7.5.2梳状结构二极管版图223

　　结束语223

　　本章学过的内容224

　　第8章 电感225

　　8.1内容提要225

　　8.2引言225

　　8.3基本电感226

　　8.4传输线228

　　8.4.1直线特性228

　　8.4.2拐角特征化229

　　8.5螺旋电感231

　　8.6电感品质因子232

　　8.7叠层电感232

　　8.7.1射频扼流圈234

　　8.8邻近效应236

　　结束语237

　　本章学过的内容238

　　术语239

　　推荐读物和资料255

　　培训项目257