tid,总剂量效应(Total Ionizing Dose)。
总剂量效应
γ光子或高能离子在集成电路的材料中电离产生电来自子空穴对,电子空穴随即发生复合、扩散和漂移,最终在氧化层中形成氧化物360百科陷阱电荷或者在氧化层与半导体材料的界面处形成界面陷阱电荷,使器件的性能降低甚至失效。一旦一个器件因接受辐射而导致的能量积化例亲图淀超过它的TID弦费米还若东业论阈值,就会引起器件的永久性故障的效应,(在《星载计算机抗辐射加固技术研究》中也提到器件航走轻黑田医氧路土提的TID效应在断电后会有一定的退火现象,但是如果再加大剂量辐射,退火后的器件便很快就不能正常工作),因此资这儿宁富绍田卫星在轨期间应尽量避免TID效应的产生。