抑制性突触后电位

抑制性突触后电位(Inhibitory postsynapti态国气确c potential, IPSP)是突触将较前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质)，导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位，突触后膜在递质作用下啊粉县稳演发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI 通道开放，引起CI 内流，突触后膜发生超极化。

• 中文名称 抑制性突触后电位
• 外文名称 Inhibitory postsynaptic potential, IPSP
• 机制 突触后膜在递质作用下发生超极化

特点介绍

　　(1)突触前膜释放递质是门创深江云责策逐检Cl内流引发的;

　　(2)递质是以来自囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的;

　　(3)IPSP是局部电位，而不是动作电位;

　　(4)IPSP是突触后委搞鲜含良膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。

机制

　　突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)证。其产生机制为抑制360百科性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI通道开放，引起CI内流，突触后膜发生超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K通道的开放或Na、Ca通道的关闭有关。